"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращенных жидкофазной эпитаксией
Крещук А.М., Новиков С.В., Савельев И.Г.
Выставление онлайн: 20 июля 1992 г.

В диапазоне концентраций двумерного электронного газа ns от 2· 1010 до 8· 1010 см-2 детально проанализирована экспериментальная зависимость низкотемпературной (4.2 K) подвижности 2МЭГ от ns в селективно легированных гетероструктурах In0.53Ga0.47As/lnP, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что качество гетерограницы в большой степени определяет величину низкотемпературной подвижности 2МЭГ в исследованных гетероструктурах. Независимо друг от друга определена концентрация ионизованных дефектов на гетерогранице Nz=(9±3)· 109 см-2, вносящих существенный вклад в рассеяние при малых ns и характерные размеры шероховатостей - мелкомасштабных пространственных флуктуаций гетерограницы (высота delta=7-10 Angstrem, размер в плоскости гетерограницы Lambda=~ 50 Angstrem), определяющих подвижность 2МЭГ в исследуемых гетероструктурах при больших ns.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.