"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольт-фарадные характеристики барьерной структуры
Бычковский Д.Н., Константинов О.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Построена теория, учитывающая заряженные дефекты, локализованные на гетерогранице. Показано, что на вольт-фарадной характеристике барьерной структуры с гетеропереходом появляются особенности, позволяющие определить разрыв зоны проводимости и концентрацию заряженных дефектов на гетерогранице. Проведено сравнение теоретической и экспериментальной характеристик.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.