Исследованы темновые вольт-амперные характеристики пленочных структур типа Al-As₂Se₃<Ni>-As₂Se₃-Al, содержащих гетеропереход между модифицированным и немодифицированным стеклообразным As₂Se₃. Показано, что в отличие от большинства изученных контактов стеклообразного As₂Se₃ с другими прослойками в немодифицированном слое As₂Se₃ в данной структуре возникает область обогащения носителями заряда, имеющая ширину 1.5/2 мкм, что обеспечивает низкоомность структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.