"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства контакта модифицированный-немодифицированный стеклообразный As2Se3
Аверьянов В.Л., Звонарева Т.К., Любин В.М.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Исследованы темновые вольт-амперные характеристики пленочных структур типа Al-As2Se3<Ni>-As2Se3-Al, содержащих гетеропереход между модифицированным и немодифицированным стеклообразным As2Se3. Показано, что в отличие от большинства изученных контактов стеклообразного As2Se3 с другими прослойками в немодифицированном слое As2Se3 в данной структуре возникает область обогащения носителями заряда, имеющая ширину 1.5/2 мкм, что обеспечивает низкоомность структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.