"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Si1-xGex: самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний-германий
Баграев Н.Т., Мирсаатов Р.М., Половцев И.С., Сирожов У., Юсупов А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Обнаружено тушение фотопроводимости в твердых растворах кремний-германий n- и p-типа, легированных цинком. Полученные результаты объясняются с помощью модели метастабильного глубокого центра, в рамках которой термическая и оптическая перезарядка дефекта сопровождается его туннелированием между позициями различной симметрии. Показано, что самокомпенсация одиночных центров цинка усиливается при увеличении процентного содержания германия в твердых растворах SiGe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.