"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примеси индия на электрофизические свойства Pb1-xSnxTe при x>0.3
Андроник К.И., Бойко М.П., Никорич А.В.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

На серии монокристаллических образцов (Pb1-xSnx)0.99ln0.01Te (0.3<x<1) проведены фотоэлектрические измерения в области гелиевых температур и гальваномагнитные в диапазоне (4.2/300) K. В сплавах с x= 0.31, 0.35, 0.40 при T<20 K обнаружено явление долговременной релаксации неравновесных носителей. В сплаве с x=0.6 долговременной релаксации не обнаружено, однако кинетические характеристики свидетельствуют о слабом влиянии индия на процессы рассеяния. В Sn0.99In0.01Te рассеяние на атомах индия становится доминирующим при низких температурах. Построена зависимость уровня стабилизации химического потенциала от состава сплава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.