"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 K
Охонин С.А., Французов А.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Исследована ионизация примесей в подложке МОП транзистора, приводящая к формированию области пространственного заряда при температуре 4.2 K. Показано, что при малых напряжениях на стоке существует механизм образования области пространственного заряда, не связанный с ударной ионизацией примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.