"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электролюминесценция в p-i-n-структурах на основе a-Si1-xCx : H
Жерздев А.В., Карпов В.Г., Певцов А.Б., Пилатов А.Г., Феоктистов Н.А.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Представлены экспериментальные данные по электролюминесценции в видимой области спектра в p-i-n-структуре на основе a-Si1-xCx : H. Иссследовано влияние на спектр излучения туннельно-прозрачных диэлектрических прослоек между собственным и легированными слоями. Интерпретация экспериментальных данных основана на представлениях об энергетической диффузии носителей по хвостам плотности состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.