"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии неоднородности поглощения сигнального излучения на частотную характеристику высокоомного примесного фоторезистора
Блохин И.К., Холоднов В.А.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Рассчитана и проанализирована зависимость фототока высокоомного примесного фоторезистора (ФР) от частоты модуляции неоднородно поглощаемого сигнального излучения. Показано, что частотная характеристика ФР зависит как от направления оптической засветки ФР, так и от полярности напряжения смещения. Дано физическое обоснование полученных результатов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.