"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
Гусев О.Б., Бреслер М.С., Зотова Н.В., Стусь Н.М.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

При исследовании гетероструктур в системе InAs/InAsSbP обнаружен переход от гетероструктур первого к гетероструктурам второго типа. Построена фазовая диаграмма состояний гетеропереходов этой системы, определяющая области реализации структур первого и второго типов в зависимости от состава четверного раствора. Исследование фотолюминесценции подтверждает существование двух типов гетероструктур. Наблюдалось стимулированное излучение на гетерогранице второго типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.