Представлены результаты исследования методом эффекта поля в электролитах приповерхностных слоев бесщелевых полупроводников (CdTg)Te и HgTe. Показано, что положение уровня Ферми в бесщелевых (CdHg)Te и HgTe при комнатных температурах удовлетворительно описывается в модели бесщелевого полупроводника с флуктуационным потенциалом. В приповерхностных слоях бесщелевых (CdHg)Te и HgTe определены закон дисперсии и эффективные массы плотности состояний зоны проводимости, а также высказано предположение о структуре валентных зон в приповерхностных слоях этих материалов. Впервые экспериментально обнаружена "ступенчатая" структура на зависимостях дифференциальной емкости области пространственного заряда бесщелевых полупроводников от температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.