"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О спектральной зависимости фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe/CdTe с анодно-окисленной свободной поверхностью
Буянов А.В., Гасан-заде С.Г., Жадько И.П., Зинченко Э.А., Романов В.А., Фридрих Е.С., Шепельский Г.А.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

В эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x~=0.20), выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложке из монокристаллического CdTe и защищенных с лицевой стороны анодным окислом, исследовались спектральное распределение фотопроводимости, фотомагнитного эффекта, а также гальваномагнитные характеристики в зависимости от зарядового состояния поверхности. Последнее управлялось с помощью ультрафиолетовой подсветки. Все особенности фотоэлектрических, а также гальваномагнитных характеристик эпитаксиальных слоев n- и p-типа проводимости интерпретированы в рамках представлений, учитывающих изменение изгиба зон и скорости поверхностной рекомбинации, а также наличие поля, обусловленного градиентом ширины запрещенной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.