"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев n-AlxGa1-xAs
Минтаиров А.М., Смекалин К.Е., Устинов В.М., Хвостиков В.П.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Теоретически и экспериментально исследованы спектры комбинационного рассеяния (КР) света на смешанных фонон-плазмонных модах (ФПМ) в n-AlxGa1-xAs (x=0.12 и 0.2, n=5·1017/6·1018 см-3) при возбуждении 2.41 эВ (волновой вектор рассеяния q~106 см-1). С использованием флуктуационно-диссипационной теоремы и молекулярного приближения для электронной поляризуемости получено выражение для интенсивности разрешенного КР в многомодовых полупроводниковых твердых растворах со структурой цинковой обманки. Показано, что интенсивность рассеяния света ФПМ имеет в этом случае p минимумов, где p - число продольных оптических фононов. В спектрах разрешенного КР в n-AlxGa1-xAs (p=2) наблюдались три полосы ФПМ и минимум интенсивности рассеяния, обусловленный фононами типа AlAs. Исследована зависимость полуширины, положения и интенсивности максимумов полос ФПМ от концентрации свободных электронов и состава твердого раствора. Из измерений отношения интегральных интенсивностей линий LO-фононов в спектрах КР установлена справедливость молекулярного приближения для AlxGa1-xAs и определена величина коэффициента Фауста-Генри для AlAs - C2=-0.15. На основании сопоставления расчетных и экспериментальных спектров КР показано, что наилучшее описание вклада свободных электронов в функцию диэлектрической проницаемости прямозонного n-AlxGa1-xAs дает формула Линхарда-Мермина. Показано, что спектры КР ФПМ могут быть использованы для измерения профилей распределения концентрации свободных носителей по толщине эпитаксиальных слоев n-AlxGa1-xAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.