"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диоды Ганна на основе гетероструктуры n-InGaAs/n+-InP
Борисов В.И., Гореленок А.Т., Дмитриев С.Г., Любченко В.Е., Рехвиашвили Д.Н., Рогашков А.С.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Рассмотрены особенности транспорта электронов в диодах Ганна на основе эпитаксиальных гетероструктур n-In0.53Ga0.47As/n+-InP. На основе анализа ВАХ диода получена BAX собственно гетероперехода. Показано, что особенность на этой ВАХ обусловлена влиянием барьера высотой 0.17-0.18 эВ в n+-слое, ограничивающее влияние которого на ток снимается при напряжениях на гетеропереходе ~0.1 В. Наличие барьера способствует разрушению бегущего домена сильного поля и объясняет наблюдаемую зависимость частоты генерации от толщины активного n-слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.