"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Тонкая структуры A-линии связанного экситона в твердом растворе GaAsxP1-x:N
Глинский Г.Ф., Лупал М.В., Парфенова И.И., Пихтин А.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

Исследовано оптическое поглощение в области A-линии связанного экситона в GaAsxP1-x, легированном азотом. Обнаружена тонкая структура этой линии, обусловленная флуктуациями состава. В предложенной теоретической модели предполагается, что сначала формируется свободный экситон, который затем связывается на delta-образном потенциале изоэлектронной ловушки как единое целое. Наблюдается хорошее согласие расчетных и экспериментальных данных.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.