"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение и исследование пленок SiO2, активированных полупроводниковыми нанокристаллами CdS
Гуревич С. А., Екимов А.И., Кудрявцев И. А., Осинский А.В., Скопина В.И., Чепик Д.И.
Выставление онлайн: 20 декабря 1991 г.

Предлагается метод получения пленок SiO2, активированных полупроводниковыми нанокристаллами CdS. Метод основан на напылении пленки из двух независимых источников. Исследованы спектры поглощения, люминесценции и резонансного комбинационного рассеяния. Показано, что в результате термообработки в пленке происходят образование и рост полупроводниковых нанокристаллов CdS хорошего качества.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.