"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование электропереноса дырок в аморфном гидрированном кремнии методом фото-ВАХ
Голикова О.А., Икрамов Р.Г., Казанин М.М.
Выставление онлайн: 20 декабря 1991 г.

На основе анализа фото-ВАХ структур с барьерами Шоттки и pin-структур получены данные о mutau дырок в a-Si : H и плотности локализованных состояний g(varepsilon). Определена зависимость mutau от положения уровня Ферми в щели подвижности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.