Вышедшие номера
Фотопроводимость и плотность состояний аморфного гидрированного кремния, легированного бором
Голикова О.А., Бабаходжаев У.С., Дубро В.В., Икрамов Р.Г., Казанин М.М., Мездрогина М.М., Яфаев Р.Р.
Выставление онлайн: 20 декабря 1991 г.

Исследованы фото- и темновая проводимость a-Si : H, легированного ионной имплантацией и из газовой фазы, в зависимости от степени легирования, а также параметр Урбаха и дефектное поглощение полученных образцов. Показано, что при слабом легировании бором (для "собственных" образцов) (mutau)(n),(p) мало зависят от способа легирования. Установлено, что параметр Урбаха и дефектное поглощение легированных образцов являются функциями положения уровня Ферми в щели подвижности.