Исследованы фото- и темновая проводимость a-Si : H, легированного ионной имплантацией и из газовой фазы, в зависимости от степени легирования, а также параметр Урбаха и дефектное поглощение полученных образцов. Показано, что при слабом легировании бором (для "собственных" образцов) (mutau)^(n),(p) мало зависят от способа легирования. Установлено, что параметр Урбаха и дефектное поглощение легированных образцов являются функциями положения уровня Ферми в щели подвижности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.