"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности спектральных характеристик тонкопленочных фотопреобразователей на основе a-Si : H с зеркально отражающим тыльным контактом
Манаков С.М.1, Сулейменов Б.С.1, Таурбаев Т.И.1, Дрюков В.Г.1
1Казахский государственный университет им. С.М. Кирова, Алма-Ата
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Предложена модельная структура для расчета спектральной зависимости коэффициента собирания носителей заряда в тонкопленочных фотопреобразователях (ФП) на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : Н) с зеркальным отражением света от тыльного контакта. При количественных расчетах спектральных характеристик использовались значения физических параметров конкретного материала a-Si : Н. Определено оптимальное значение толщины ФП, при котором величина тока короткого замыкания максимальна. Показано, что предложенная модель хорошо описывает интерференционные эффекты в тонкопленочных ФП.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.