"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
Акимов А.В.1, Шофман В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Исследована краевая люминесценция эпитаксиального нелегированного n-GaAs, возбуждаемая светом 10.6 мкм после действия импульса межзонного (lambda=0.53 мкм) возбуждения. Возгорание краевой люминесценции обусловлено высвобождением носителей с примесных уровней под действием света 10.6 мкм. Измерения кинетики люминесценции позволили оценить сечение фотоионизации мелких акцепторов в GaAs. Показано существенное отличие наблюдаемых эффектов от случая воздействия света lambda<4 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.