"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия p-типа проводимости
Георгицэ Е.И.1, Иванов-Омский В.И.1, Мастеров В.Ф.1, Мунтяну Ф.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Санкт-Петербург
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Исследовано магнитосопротивление Deltarho/rho образцов антимонида галлия, легированного марганцем, железом и гадолинием, в диапазоне магнитных полей 0/14 T при температуре 4.2 K. Концентрация вводимых примесей изменялась в пределах 0.005/1 %. Показано, что в образцах антимонида галлия, легированных марганцем, в области магнитных полей до 4 Т наблюдается эффект отрицательного магнитного сопротивления. Величина отрицательного магнитного сопротивления растет с увеличением концентрации вводимого марганца. В антимониде галлия, легированного марганцем, отрицательное магнитное сопротивление обусловлено спиновым рассеянием дырок на магнитных моментах ионов марганца. Наличие поляризационного магнитного момента ионов железа и гадолиния в матрице антимонида галлия не приводит к эффекту отрицательного магнитного сопротивления в этих образцах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.