"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теория фотоэлектрических и пороговых характеристик фотоприемников на основе многослойных структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
Серженко Ф.Л.1, Шадрин В.Д.1
1Научно-производственное объединение "Орион", Москва
Выставление онлайн: 20 августа 1991 г.

Изложена теория инфракрасных фотоприемников на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами, работающих на принципе фотоионизации ям. Рассмотрены эффекты деполяризации в спектрах поглощения ям и показано, что деполяризационный сдвиг максимума спектра и его уширение приводят к немонотонной зависимости обнаружительной способности фотоприемника D*lambda от концентрации электронов в ямах. Оптимальная степень заполнения ямы электронами, соответствующая максимуму D*lambda, мала и для фотоприемника на длину волны lambda1=10 мкм составляет Theta~=0.06-0.1. Вычислена концентрационная зависимость температуры перехода в режим ограничения мощности принимаемого излучения флуктуациями фонового излучения и показано, что для оптимизированного по D*lambda фоторезистора на lambda1=10 мкм температура перехода не ниже T=73 K. Время жизни неравновесных электронов определяется однофононными процессами захвата в ямы и составляет tau~=10-11 с. Коэффициент усиления, а также чувствительность фоторезистора максимальны для структуры, содержащей одну яму.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.