"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механические напряжения в гетероэпитаксиальном GaAs, выращенном на Si-подложке
Артамонов В.В.1, Бачериков Ю.Ю.1, Лашкевич Е.Г.1, Нечипорук Б.Д.1, Садофьев Ю.Г.1
1Институт полупроводников АН УССР, Киев
Выставление онлайн: 20 марта 1991 г.

Исследованы фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в напряженных пленках GaAs, выращенных на кремниевых подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.