Теоретически рассмотрено распределение потенциала в структуре типа полевого транзистора Шоттки, у которого область, прилегающая к затвору, образована широкозонным полупроводником. Когда эта область истощается за счет подачи внешнего смещения, то емкость структуры остается постоянной (моттовское плато). Дается детальная теория режима перехода к истощению и показано, что истощение происходит весьма медленно с ростом запирающего смещения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.