"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
Белоусов М.В., Гореленок А.Т., Давыдов В.Ю., Каржавин Р.В., Мокина И.А., Шмидт Н.М., Якименко И.Ю.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Метод комбинационного рассеяния света (КРС) использован для определения скорости поверхностной рекомбинации (S) на образцах InP, обработанных химическими травителями, применяемыми при формировании приборных структур. Скорость поверхностной рекомбинации оценивалась из анализа зависимости концентраций фотовозбужденных носителей (n) от плотности мощности возбуждения, n вычислялась по величине плазмон-фононнои частоты w+. Полученные из спектров КРС значения S сопоставлялись с оценками скорости поверхностной рекомбинации методом, основанным на регистрации изменения поверхностной составляющей тока утечки p-n-перехода в InP после обработки его периферии в тех же травителях. Наблюдалась хорошая корреляция между этими данными. Отмечаются преимущества использования метода КРС для определения S. На основе проведенных исследований установлены травители, использование которых при формировании приборных структур на InP более предпочтительно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.