Исследованы пленарная фотопроводимость (ФП) и конденсаторная фотоэдс (КФЭ) в эпитаксиальных гетероструктурах GaAs/InGaAs с квантовой ямой, образованной прослойкой твердого раствора. Показано, что в спектрах ФП и КФЭ проявляется размерное квантование, и фоточувствительность, связанная с межзонным поглощением в квантовой яме, в некотором интервале температур экспоненциально зависит от температуры. Результаты интерпретированы в рамках барьерной модели фотопроводимости таких структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.