"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
Карпович И.А., Алешкин В.Я., Аншон А.В., Бабушкина Т.С., Звонков Б.Н., Малкина И.Г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Исследованы пленарная фотопроводимость (ФП) и конденсаторная фотоэдс (КФЭ) в эпитаксиальных гетероструктурах GaAs/InGaAs с квантовой ямой, образованной прослойкой твердого раствора. Показано, что в спектрах ФП и КФЭ проявляется размерное квантование, и фоточувствительность, связанная с межзонным поглощением в квантовой яме, в некотором интервале температур экспоненциально зависит от температуры. Результаты интерпретированы в рамках барьерной модели фотопроводимости таких структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.