"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
Дерингас А., Добровольскис З., Гореленок А.Т., Мокина И.А., Шмидт Н.М.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Создано электрооптическое устройство на основе фемтосекундного кольцевого струйного лазера с пикосекундным временным разрешением и исследована кинетика фотопроводимости в фоторезисторах из InP : Fe. Фотопроводимость возбуждалась фемтосекундными оптическими импульсами в фоторезисторах с различными контактами, удельным сопротивлением, методом изготовления. Установлено, что времена релаксации фотовозбужденной плазмы в фоторезисторах на основе InP : Fe с удельным сопротивлением rho~108 Ом·см составляют ~20, а для InP с максимальной концентрацией Fe - ~15 пс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.