"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция Hg1-xMnxTe, связанная с локальным уровнем Mn+
Георгицэ Е.И., Иванов-Омский В.И., Мастеров В.Ф., Погорлецкий В.М., Пиотровский Т., Смирнов В.А.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Приведены результаты исследования фотолюминесценции твердых растворов Hg1-xMnxTe (0.19=< x=<0.30) в интервале температур 2/200 K. Показано, что в сплавах, обогащенных марганцем, наблюдаются оптические переходы между состояниями, жестко связанными с валентной зоной, к которым наряду с мелкими акцепторами относятся антисвязывающие состояния с недостроенной d-оболочкоы Mn+ (3d6) в запрещенной зоне на уровне мелкого акцептора, приписываемого обычно собственным дефектам. Предложена энергетическая модель, с помощью которой объясняются наблюдаемые особенности. В соответствии с предложенной моделью в разбавленных полумагнитных сплавах Hg1-xMnxTe (x<0.20) уровень, связанный с марганцем Mn+, находится в зоне проводимости и в излучательных процессах не проявляется, а при x>0.20 этот уровень выходит в запрещенную зону и принимает участие в рекомбинационных процессах. Вырождение уровня Mn+ с зоной проводимости снимается для состава x=0.224. Глубина залегания уровня 3d5 в валентной зоне оценивается величиной ~4.9 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.