"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

На ориентированных монокристаллах CdGeAs2 с концентрацией дырок p=3·1015 см-3 (T=300 K) проведено исследование температурных зависимостей удельной электропроводности и коэффициента Холла в области температур 80-750 K. Экспериментально обнаружена и изучена анизотропия холловской подвижности носителей заряда. Показано, что в кристаллах CdGeAs2 анизотропия подвижности дырок падает с ростом температуры и преобладает по сравнению с анизотропией подвижности электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.