На ориентированных монокристаллах CdGeAs₂ с концентрацией дырок p=3·10¹⁵ см^-3 (T=300 K) проведено исследование температурных зависимостей удельной электропроводности и коэффициента Холла в области температур 80-750 K. Экспериментально обнаружена и изучена анизотропия холловской подвижности носителей заряда. Показано, что в кристаллах CdGeAs₂ анизотропия подвижности дырок падает с ростом температуры и преобладает по сравнению с анизотропией подвижности электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.