"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через полуизолирующую подложку
Гергель В.А., Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И., Полторацкий Э.А., Соляков А.Н.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Предложен механизм управления транзистором через полуизолирующую подложку. В его основе лежит гипотеза об изменении типа проводимости компенсированного полупроводника под действием электрического поля на генерацию дырок и электронов с глубокого уровня в результате эффекта Френкеля-Пулла. С единых позиций объяснены основные эксперименты паразитного управления транзистором через полуизолирующую подложку: пороговые и беспороговые характеристики управления, связь эффекта управления с суперлинейным ростом тока в подложке, природа низкочастотной неустойчивости. Показано, что эффект управления в ИС на GaAs определяется главным образом степенью компенсации подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.