"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом
Быковский В.А., Кольченко Т.И., Ломако В.М.
Выставление онлайн: 19 ноября 1990 г.

Нелегированные и легированные индием слои арсенида галлия ([In]=<sssim2·1019 см-3), полученные хлоридным методом, исследовались с помощью измерений низкотемпературной фотолюминесценции. Установлено, что в ходе изовалентного легирования наблюдаются существенные изменения концентрации мелких примесей и степени компенсации эпитаксиальных слоев, хотя смены типа основной акцепторной примеси не происходит. Полученные данные анализируются с учетом результатов предшествующих исследований GaAs : In.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.