Исследована низкотемпературная фотолюминесценция арсенида галлия, совместно имплантированного кремнием и азотом. Обнаружено, что имплантация азота стимулирует образование структурно чувствительного дефекта (возможно, GaAs), дающего полосу фотолюминесценции вблизи 1.44 эВ. Высказано предположение, что образование этого дефекта и уменьшение эффективности активации имплантированного кремния связаны с отклонением от стехиометрии в сторону недостатка элемента V группы из-за ухода атомов азота из узлов мышьяка при высокотемпературном отжиге.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.