С помощью низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние изовалентного легирования арсенида галлия индием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на концентрацию донорных и акцепторных фоновых примесей, а также дефектов решетки. Предложен механизм, объясняющий обнаруженную в данной работе значительную часть известных из литературы изменений концентраций дефектов и примесей при изовалентном легировании GaAs индием в процессе МЛЭ. Этот механизм заключается в изменении отклонения от стехиометрии в кристалле в пользу атомов мышьяка при неизменном соотношении [III ]/[ V] на поверхности роста вследствие особенностей встраивания атомов индия в кристалл.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.