Показано, что сужение запрещенной зоны полупроводника при легировании происходит из-за двух главных причин: - понижения энергии основного носителя заряда за счет кулоновcкого взаимодействия его с газом остальных основных носителей и примесных ионов; - понижения энергии неосновного носителя за счет кулоновского взаимодействия его с газом основных носителей (до сих пор учитывалась только эта причина. Показано, что понижение энергии основного носителя точно такое же, как и понижение энергии неосновного. Найденное нами кулоновское понижение энергии основного (или неосновного) носителя в точности совпадает с известным выражением Дебая-Хюккеля, полученным для заряда в однородной плазме электролита. В нашем рассмотрении в отличие от теории Дебая-Хюккеля берется за основу структура со скачкообразным изменением концентрации легирующей примеси. Заряд, находящийся в слабо легированной области, втягивается в сильно легированную область за счет притяжения к собственному изображению. Находится работа, которую при этом производит заряд; она оказывается равной вышеупомянутой энергии кулоновcкого взаимодействия в однородно легированном полупроводнике. Таким образом, при скачкообразном легировании полупроводниковой структуры там возникает плазменный гетеропереход с одинаковыми по величине разрывами краев разрешенных зон. Полученное нами значение сужения запрещенной зоны при легировании (или инжекции плазмы) отличается от известного в литературе значения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.