Проведен теоретический анализ применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике. Показано, что применимость метода ограничивается выполнением двух условий. а. Изменение барьерной емкости от низкочастотной до высокочастотной и изменение емкости диода от высокочастотной до геометрической емкости пластины происходят в разных температурных интервалах. б. Температурные зависимости высокочастотной емкости и емкости области электрической нейтральности диода пренебрежимо малы по сравнению с температурной зависимостью сопротивления области электрической нейтральности. Проведен анализ экспериментальных данных, подтверждающий этот вывод.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.