Вышедшие номера
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
Баранов А.Н., Воронина Т.И., Дахно А.Н., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

В результате комплексного исследования подвижности носителей тока, магнитосопротивления и фотопроводимости в твердых растворах p-GaInSbAs, выращенных на подложке n-GaSb : Te, выявлены кластерные образования, которые могут быть обусловлены дефектами, за которые ответствен Te, продиффундировавший в эпитаксиальный слой из подложки. Показана значительная роль кластерных образований в механизме рассеяния и переносе носителей тока, определены параметры этих скоплений.