В результате комплексного исследования подвижности носителей тока, магнитосопротивления и фотопроводимости в твердых растворах p-GaInSbAs, выращенных на подложке n-GaSb : Te, выявлены кластерные образования, которые могут быть обусловлены дефектами, за которые ответствен Te, продиффундировавший в эпитаксиальный слой из подложки. Показана значительная роль кластерных образований в механизме рассеяния и переносе носителей тока, определены параметры этих скоплений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.