Исследовались МТДП структуры на n-кремнии со скоростью генерации носителей заряда, недостаточной для накопления у поверхности полупроводника значительного заряда дырок. Показано, что в этих условиях плотность обратного тока через структуру вблизи края полевого электрода j_L на порядки превышает плотность тока в ее центральной части j₀. Зависимость j₀ от напряжения V на полевом электроде качественно отличается от таковой в случае накопления дырок. В соответствии с развитой теорией она линейна и из нее можно определить толщину диэлектрика d и эффективную проницаемость барьера для электронов D_n. Увеличение путем освещения структуры скорости генерации носителей заряда ослабляет неоднородность токопрохождения и приводит к вольтамперной характеристике, характерной для режима накопления у поверхности дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.