"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As
Берт Н.А., Воробьева В.В., Воронцова М.В., Крещук А.М., Новиков С.В., Погребицкий К.Ю., Савельев И.Г., Сайфидинов Д.Ж., Сошников И.П., Шик А.Я.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

При низких температурах исследованы селективно легированные гетероструктуры InP/In0.53Ga0.47As инвертированного типа как в равновесии --- исходном состоянии, так и в режиме замороженной фотопроводимости (ЗФП). Обнаружено, что при уменьшении толщины верхнего узкозонного слоя от 2 до 0.15 мкм концентрация двумерных электронов в исходном состоянии снижается, а в состоянии насыщения ЗФП практически не изменяется. Предложена теоретическая модель, учитывающая перезарядку поверхностных состояний, связанную с влиянием гетерограницы и освещения. Сопоставление с экспериментом показало, что эта модель качественно и количественно описывает изменение параметров гетероструктуры InP/In0.53Ga0.47As при уменьшении толщины верхнего узкозонного слоя как в исходном состоянии, так и в режиме ЗФП при величине энергии пиннинга уровня Ферми Es=(0.3± 0.05) эВ на поверхности InGaAs. Экспериментально и теоретически определена критическая толщина слоя InGaAs, ниже которой двумерная проводимость в гетероструктуре отсутствует. Рассчитана зависимость этой критической толщины от параметров слоев гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.