"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике, содержащем амфотерную U--примесь
Гончарова А.Г., Зуев В.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Исследуется влияние амфотерных примесных центров с отрицательной корреляционной энергией на концентрацию свободных носителей. В случае отсутствия компенсирующей примеси обнаружено наличие температурного интервала, в котором концентрация носителей не зависит от концентрации амфотерной U--примеси. Приведены результаты численного расчета зависимости концентрации свободных носителей от обратной температуры для межузельного бора, который, по последним данным, является амфотерной U--примесью в кремнии. Отмечено, что кажущееся несоответствие в пороговой энергии фотопроводимости и энергии активации при температурной ионизации примесей можно рассматривать как необходимый признак того, что данная примесь представляет собой центр с отрицательной корреляционной энергией.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.