"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых p-n-структурах
Кондратьев Б.С., Попов И.В., Стрельчук А.М., Тиранов М.Л.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Приведены результаты экспериментальных исследовании флуктуации лавинного тока в одной выделенной микроплазме (МП) в низковольтных 6H-SiC p-n-структурах в интервале температур 300/ 700 K. Определены зависимости вероятностей включения (P01) и выключения (P10) от перенапряжения и температуры, сопротивления МП (Rs), напряжения пробоя (Ub) и напряжения (U0), при котором P01=P10, от температуры. Показано, что температурные коэффициенты напряжения (ТКН) Ub и U0 носят знакопеременный характер: от 300 до 360 K ТКН отрицательный, свыше 360 K --- положительный. Установлено соответствие температурных зависимостей параметров МП в области положительного ТКН модельным представлением для Si p-n-структур. Обсуждаются возможные причины отрицательного ТКН.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.