"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
Любченко А.В., Мысливец К.А., Олих Я.М.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Исследовано влияние ультразвуковой обработки (УЗО) на характеристики шоклиридовской рекомбинации через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe (x~ 0.226). На основании экспериментальных температурных (77/180 K) зависимостей времени жизни ННЗ tau и холловских измерений при 77 К электрофизических параметров (n0, mun) показано, что в зависимости от режимов УЗО наблюдаются как уменьшение числа рекомбинационных центров (рост tau), так и их увеличение (падение tau).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.