"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
Либенсон Б.Н., Нормурадов М.Т., Рысбаев А.С.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Объясняется наблюдаемый в экспериментах сдвиг энергии плазмонов в полупроводнике с роcтом дозы облучения его примесными ионами. Такой сдвиг вызван увеличением статической поляризации среды, связанной с вкладом переходов остовных электронов примесных ионов. На основе теории возбуждения плазмонов электронами в пространственно неоднородной среде с локальной диэлектрической проницаемостью varepsilon (omega, z) получены соотношения, определяющие условие образования максимума сечения генерации объемных и поверхностных плазмонов. Для не слишком больших доз облучения энергетический сдвиг максимума во многом определяется параметрами распределения концентрации внедренной примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.