"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
Быковский В.А., Иванютин Л.А., Кольченко Т.И., Ломако В.М., Цыпленков И.Н., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Методами низкотемпературной фотолюминесценции и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы эпитаксиальные слои арсенида галлия, полученные газофазовой эпитаксией из металлоорганических соединений, легированные изовалентной примесью - индием. Обнаружено, что даже при весьма низкой концентрации индия (<2· 1019 см-3) происходят заметные изменения концентраций мелких доноров и акцепторов, а также глубоких уровней. Полученные экспериментальные данные анализируются с учетом результатов предшествующих исследований изовалентного легирования арсенида галлия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.