"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
Ахметов В.Д., Болотов В.В., Камаев Г.Н., Смирнов Л.С.
Выставление онлайн: 20 декабря 1989 г.

Проведены ИК спектрометрические исследования изменения концентрации узлового бора (B8) и фосфора (P8) в узлах решетки кремния при облучении электронами с энергией 3.5 МэВ в температурном интервале 20/ 700oС. Показано, что во всем диапазоне температур концентрация легирующих примесей в узлах с дозой облучения уменьшается. Анализ результатов для температур облучения ниже и выше температуры отжига вакансионных комплексов с легирующими примесями позволяет сделать вывод об эффективном взаимодействии атомов B8 и P8 с междоузельными атомами кремния во всем исследованном температурном интервале. Отсутствие изменений концентрации B8 и P8 при T <= 700oС свидетельствует о достижении стационарной концентрации примесей в узлах и междоузлиях для данных условий облучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.