"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Селективная фоточувствительность гетероструктур a-Si/ c-Si в ближней инфракрасной области спектра
Будагян Б.Г.1, Шерченков А.А.1, Айвазов А.А.1
1Московский институт электронной техники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности гетероструктур на основе n-a-Si/p-c-Si в диапазоне длин волн 500/1200 нм в зависимости от температуры предварительного нагрева подложек Ts и температуры отжига Ta. Показано, что максимум фоточувствительности с увеличением температуры предварительного нагрева подложек сдвигается в длинноволновую область спектра и при Ts=500 oC, Ta=200 oC наблюдается на длине волны lambda=1080 нм. Предложена модель энергетической диаграммы гетероструктуры n-a-Si/p-c-Si, учитывающая существование на границе раздела структуры промежуточного слоя, препятствующего образованию обедненной области в подложке c-Si. Полученные результаты указывают на перспективность использования гетероструктур n-a-Si/p-c-Si для создания датчиков инфракрасного излучения с управляемым положением максимума фоточувствительности.
  1. H. Mimura, Y. Hatanaka. Appl. Phys. Lett., 45, 452 (1984)
  2. H. Mimura, Y. Hatanaka. Japan. J. Appl. Phys., 26, 60 (1987)
  3. Б.Г. Будагян, А.А. Айвазов, А.А. Шерченков, И.В. Филатова. В сб.: \it Тез. докл. VI науч.-техн. конф. "Датчик-95" (Гурзуф, 1995) ч. 1, с. 460
  4. А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, О.Н. Становов, Д.А. Стряхилев. Зав. лаб., 1, 52 (1992)
  5. H. Matsuura, T. Okuno, H. Okushi, K. Tanaka. J. Appl. Phys., 55 1012 (1984)
  6. A.K. Batabyal, P. Chaudhuri, Ray Swati, K. Barua. Thin Sol. Films, 112, 51 (1984)
  7. \it Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991)
  8. А. Меден, М. Шо. \it Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.