"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диагностика буферных слоев многослойных эпитаксиальных структур из GaAs методом фотолюминесценции
Белоусов П.С.1, Гурошев В.И.1, Тагер А.С.1, Федоров Ю.Ю.1
1Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Изучены спектры фотолюминесценции (T=77 и 4.2 K) многослойных эпитаксиальных структур из GaAs, выращенных на полуизолирующей подложке. Проведен сопоставительный анализ содержания фоновых примесей и дефектов в высокоомных буферных слоях с величиной их проводимости. Показано, что метод фотолюминесценции можно использовать для диагностики буферных слоев. Основным критерием совершенства слоев является отсутствие в них достаточно глубоких примесных и структурных дефектов типа D-V Ga, Ga As(D-V Ga), V As- ZnGa, V As- SiAs (D --- дефект донорного типа), ответственных за полосы фотолюминесценции с энергией максимума излучения 1.20, 1.32, 1.35, 1.38 и 1.41 эВ соответственно.
  1. П. Блад, Д.В. Ортон. Зарубежн. радиоэлектрон., вып. 1, 3 (1981)
  2. В.Я. Принц, В.А. Самойлов. Микроэлектроника, 18, 416 (1989)
  3. Н.Б. Горев, С.А. Костылев, Т.В. Макарова, Е.Ф. Прохоров, А.Т. Уколов. ФТП, 23, 357 (1989)
  4. С.Н. Филиппов, С.Д. Братишко, Ю.Ю. Федоров, Е.М. Огурцова, В.С. Соснин. Электрон. техн., сер. Электроника СВЧ, вып. 3 (417), 40 (1989)
  5. К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, вып. 13, 16 (1973)
  6. E.V.K. Rac, N. Duhamel. J. Appl. Phys., 49, 3458 (1978)
  7. K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, N.S. Zayats. Phys. St. Sol. (a), 82, 503 (1984)
  8. K.R. Elliot. Appl. Phys. Lett., 42, 274 (1983)
  9. Hal Bogardus, H. Barry Bebb. Phys. Rev. B, 176, 993 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.