"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Адмиттанс планарно распределенных глубоких состояний
Алешкин В.Я.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Получено аналитическое выражение для адмиттанса контакта Шоттки к системе с планарно распределенными глубокими состояниями. Найдена эквивалентная схема этой системы.
  1. W.G. Oldham, S.S. Naik. Sol. St. Electron., 15, 1085 (1972)
  2. P.A. Martin, K. Meehan, P. Gavrilovic, K. Hess et al. J. Appl. Phys., 54, 4689 (1983)
  3. D.V. Lang, M.B. Panish, F. Capasso, J. Allam, R.A. Hamm, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 50, 736 (1987)
  4. X. Letartre, D. Stievenard, M. Lannoo, D. Lippens. J. Appl. Phys., 68, 116 (1990)
  5. K. Nauka, T.I. Kamins, J.E. Turner, C.A. King, J.L. Hoyt, J.F. Gibbons. Appl. Phys. Lett., 60, 195 (1992)
  6. K. Schmalz, I.N. Yassievich, H. Rucker, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 50, 1427 (1994)
  7. J.P. Zhao, Z. lu, W. Buchwald, D. Coblentz, S. McAfee. Appl. Phys. Lett., 62, 2810 (1993)
  8. C. Ghezzi. Appl. Phys. A, 26, 191 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.