Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние квазилокальных состояний In на дефектообразование в PbTe

Немов С.А.¹, Прошин В.И.¹, Абайдулина Т.Г.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 22 ноября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На примере примеси In и PbTe исследовано влияние частично заполненных электронами амфотерных примесных состояний на процесс дефектообразования в узкощелевых полупроводниках. На основании экспериментальных данных по явлению самокомпенсации в системе PbTe:In,Te_ex в рамках термодинамической теории рассчитана зависимость концентрации компенсирующих вакансий свинца n_v от содержания примеси In в образцах. Выполненные расчеты свидетельствуют о сильном влиянии энергетического положения амфотерного уровня на характер процесса дефектообразования. Возможно не только увеличение концентрации компенсирующих дефектов (явление самокомпенсации), но и независимость их концентрации и даже уменьшение n_v по мере роста содержания примеси.

Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. \it Полупроводниковые материалы на основе соединений A^IVB^VI (М., Наука, 1975)
A.I. Rosenberg, R. Grierson, I.G. Wooley, C. Nicolic. Trans. of AIME, 230, 342 (1964)
A.I. Rosenberg, F. Wald. J. Phys. Chem. Sol., 26, 1079 (1965)
А.А. Аверкин, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник. ФТП, 7, 759 (1973)
В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28, 369 (1994)
В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26, 201 (1992)
С.А. Немов, Ю.И. Равич, М.К. Житинская, В.И. Прошин. ФТП, 26, 1493 (1992)
А.Н. Вейс, С.А. Немов. ФТП, 16, 1130 (1982)
Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 14, 74 (1980)
Б.М. Аскеров. \it Кинетические эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1970)
Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. \it Методы исследования полупроводниковых материалов в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
A.A. Andreev. J. de Phys., 29, C4--50 (1969)
В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, И.А. Черник, А.А. Косулина. ФТП, 2, 1769 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель