"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электродвижущая сила кремниевых p- n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле
Гулямов Г.1
1Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Теоретически исследовано влияние модуляции высоты потенциального барьера p-n-перехода в сильном сверхвысокочастотном поле на токи и на электродвижущую силу горячих носителей, генерируемую диодом. Показано, что модуляция потенциального барьера увеличивает рекомбинационные токи и может объяснить аномально большие значения тока и электродвижущей силы, наблюдаемые в кремниевых p-n-переходах.
  1. А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  2. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  3. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
  4. Ф.Г. Басс, Ю.Г. Гуревич. \it Горячие электроны и сильные электромагнитные поля в плазме полупроводников и газового разряда (М., Наука, 1974)
  5. Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводников (М., Наука, 1977)
  6. В.И. Смирнов. \it Курс высшей математики (М., Наука, 1972). т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.