"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Об идентификации точечных дефектов вблизи границы раздела полупроводников посредством возмущения акустической волной
Коротченков О.А.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Эпитаксиальные пленки SiGe, нанесенные на подложку Si с ориентацией (100), изучены методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней с возмущающим воздействием акустической волны в мегагерцовом диапазоне частот. Зарегистрировано существенное различие во влиянии акустической волны на уровни дефектов с энергией активации ~0.2 и 0.4 эВ. Обнруженный эффект позволяет предположительно связать уровень с энергией 0.4 эВ с точечными дефектами, локализованными вблизи границы раздела.
  1. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. \it Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  2. V. Nagesh, E.-L. Hellqvist, H.G. Grimmeiss, K.L. Ljutovich, A.S. Ljutovich. Sol. St. Commun., 75, 151 (1990)
  3. H.B. Erzgraber, G. Kissinger, D. Kruger, T. Morgenstern, K. Schmalz, J. Schilz, M. Kurten, A. Osinsky. Mater. Sci. Forum, 143--147, 489 (1994)
  4. G. Bremond, A. Souifi, P. Degroodt, P. Warren, D. Dutartre, G. Guillot. Mater. Sci. Forum, 143--147 495 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.