Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об идентификации точечных дефектов вблизи границы раздела полупроводников посредством возмущения акустической волной

Коротченков О.А.¹

¹Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 4 октября 1995 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Эпитаксиальные пленки SiGe, нанесенные на подложку Si с ориентацией (100), изучены методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней с возмущающим воздействием акустической волны в мегагерцовом диапазоне частот. Зарегистрировано существенное различие во влиянии акустической волны на уровни дефектов с энергией активации ~0.2 и 0.4 эВ. Обнруженный эффект позволяет предположительно связать уровень с энергией 0.4 эВ с точечными дефектами, локализованными вблизи границы раздела.

Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. \it Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
V. Nagesh, E.-L. Hellqvist, H.G. Grimmeiss, K.L. Ljutovich, A.S. Ljutovich. Sol. St. Commun., 75, 151 (1990)
H.B. Erzgraber, G. Kissinger, D. Kruger, T. Morgenstern, K. Schmalz, J. Schilz, M. Kurten, A. Osinsky. Mater. Sci. Forum, 143--147, 489 (1994)
G. Bremond, A. Souifi, P. Degroodt, P. Warren, D. Dutartre, G. Guillot. Mater. Sci. Forum, 143--147 495 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель