"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О деформационном потенциале широкозонных полупроводников
Давыдов С.Ю.1, Тихонов С.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

В рамках метода связывающих орбиталей Харрисона проведена оценка деформационного потенциала для алмаза, карбида кремния и нитридов бора, алюминия и галлия. Результаты расчета для карбида кремния хорошо согласуются с данными эксперимента.
  1. \it Silicon Carbide and Related Materials (Proc. Fifth Int. Conf.), ed. by M.G. Spencer et al. [Inst. Phys. Conf. Ser., N 137 (Bristol and Philadelphia, 1993)]
  2. У. Харрисон. \it Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983)
  3. W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983)
  4. D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. St. Sol. (b), 68, 405 (1975)
  5. H.J. Van Daal, W.F. Knippenberg, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., 24, 109 (1963)
  6. \it Landolt--Bornstein Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology, ed. by O. Madelung (Berlin, Springer Verlag, 1982) v. 17, subvol. a
  7. \it Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.